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IXGA 4N100
IXGP 4N100
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-220 AB Dimensions
g fs
I C = I C90 ; V CE = 10 V,
2.5
4
S
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle ￡ 2 %
C ies
343
pF
C oes
C res
I C(ON)
Q g
Q ge
V CE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz
V GE = 10V, V CE = 10V
I C = I C90 , V GE = 15 V, V CE = 0.5 V CES
21
5
21
13.6
2.5
pF
pF
A
nC
nC
Q gc
t d(on)
t ri
t d(off)
t fi
E off
t d(on)
t ri
E on
t d(off)
t fi
E off
Inductive load, T J = 25 ° C
I C = I C90 , V GE = 15 V
V CE = 800 V, R G = R off = 120 W
Remarks: Switching times may
increase for V CE (Clamp) > 0.8 V CES ,
higher T J or increased R G
Inductive load, T J = 125 ° C
I C = I C90 , V GE = 15 V
V CE = 800 V, R G = R off = 120 W
Remarks: Switching times may
increase for V CE (Clamp) > 0.8 V CES ,
higher T J or increased R G
6.5
20
25
390
340
0.9
20
25
0.16
700
520
2.0
800
700
2.0
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
Pins: 1 - Gate
3 - Emitter
2 - Collector
4 - Collector
Bottom Side
R thJC
R thCK
TO-220
0.5
3.1
K/W
K/W
TO-263 AA Outline
1.
2.
3.
4.
Gate
Collector
Emitter
Collector
Bottom Side
Min. Recommended Footprint
(Dimensions in inches and mm)
Dim.
A
A1
Millimeter
Min. Max.
4.06 4.83
2.03 2.79
Inches
Min. Max.
.160 .190
.080 .110
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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